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      化學(xué)氣相沉積(CVD)工藝專用氫氣傳感器-高精度3%-深國安

      添加時間  :  2025-10-15 11:49:00
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      化學(xué)氣相沉積(CVD)工藝專用氫氣傳感器應(yīng)用背景:

      化學(xué)氣相沉積(CVD)是半導(dǎo)體、光伏、新材料等領(lǐng)域的核心工藝,通過氣相反應(yīng)在基底表面沉積薄膜。然而,CVD工藝中氫氣(H?)的精確控制至關(guān)重要。例如?作為載氣/反應(yīng)氣?:氫氣常用于攜帶前驅(qū)體或參與還原反應(yīng),濃度波動直接影響薄膜質(zhì)量。?安全隱患?方面:氫氣易燃易爆(LEL=4%),泄漏可能引發(fā)爆炸,需實時監(jiān)測。工藝干擾?:CVD腔體內(nèi)的高溫(300-1200℃)、等離子體環(huán)境及復(fù)雜氣體組分(如硅烷、氨氣)對傳感器干擾嚴(yán)重。

      化學(xué)氣相沉積(CVD)工藝專用氫氣傳感器

      化學(xué)氣相沉積(CVD)工藝專用氫氣傳感器是深國安解決氣體探測種類繁多、各品牌氣體傳感器互不兼容、生產(chǎn)標(biāo)定復(fù)雜、核心元器件更換受限等問題而研發(fā)生產(chǎn)一款智能H2氣體傳感器模塊?;瘜W(xué)氣相沉積(CVD)工藝專用氫氣傳感器在國外原裝進口傳感器的基礎(chǔ)上,進行了信號放大、數(shù)據(jù)處理、智能運算及溫濕度補償?shù)裙ぷ?。且?jīng)過99.9%純度的標(biāo)準(zhǔn)氣體校正后才出貨給客戶。因此,客戶購買后,無需任何操作,可直接采集標(biāo)準(zhǔn)信號進行數(shù)據(jù)處理。即方便使用、又節(jié)約了研發(fā)及生產(chǎn)成本??梢哉f,采用深國安公司生產(chǎn)的SGA-400智能型氫氣傳感器模組,只需開發(fā)一款產(chǎn)品,即可對應(yīng)不同企業(yè)對檢測不同氣體、不同量程、不同單位值的需求。

      化學(xué)氣相沉積(CVD)工藝專用氫氣傳感器

      化學(xué)氣相沉積(CVD)工藝專用氫氣傳感器可直接輸出0.4-2V、0-1.6V、0-4V、0-5V等電壓信號,還預(yù)留有串口信號。且產(chǎn)品直徑只有21.5mm,是目前市場上體積最小、功能最強大的一款產(chǎn)品。因其出色的性能和可靠性,廣泛應(yīng)用于科研、氣體監(jiān)測等領(lǐng)域。

      化學(xué)氣相沉積(CVD)工藝專用氫氣傳感器

      主要功能

      1. ?進口傳感技術(shù)?

      兼容催化燃燒,電化學(xué),熱傳導(dǎo)等技術(shù)原理,高穩(wěn)定性,實測精度3-5%范圍內(nèi)。

      ?自適應(yīng)濾波算法?:內(nèi)置AI模塊可動態(tài)排除水蒸氣、硅烷等工藝氣體的干擾信號,確保檢測精度。

      2. ?超寬量程與高精度?

      ?量程范圍?:0-10,000ppm(可擴展至0-100%VOL),覆蓋CVD工藝從微量泄漏到高濃度反應(yīng)氣的全場景。

      ?分辨率?:0.1ppm(低濃度段),滿足半導(dǎo)體制造對氫氣純度的嚴(yán)苛要求(如≤1ppm雜質(zhì))。

      ?精度?:±3%FS(滿量程誤差),較傳統(tǒng)電化學(xué)傳感器提升5倍。

      3. ?極端環(huán)境適應(yīng)性?

      ?耐高溫設(shè)計?:傳感器探頭采用鈦合金材質(zhì),可耐受CVD腔體周邊200℃高溫環(huán)境(可選配水冷套件支持400℃)。

      ?防腐蝕涂層?:表面覆蓋聚四氟乙烯(PTFE)膜,抵抗硅烷、氨氣等腐蝕性氣體侵蝕。

      ?快速響應(yīng)?:T90時間≤3秒(氫氣),滿足CVD工藝動態(tài)調(diào)整需求。

      4. ?智能校準(zhǔn)與維護?

      ?自診斷功能?:實時監(jiān)測光源強度、探測器靈敏度,自動提示校準(zhǔn)需求。

      ?遠程校準(zhǔn)?:支持藍牙/Wi-Fi連接,無需停機即可完成零點、量程校準(zhǔn)。

      ?長壽命設(shè)計?:熱傳導(dǎo)傳感器5年壽命,維護成本降低80%。

      化學(xué)氣相沉積(CVD)工藝專用氫氣傳感器

      應(yīng)用場景

      1. 半導(dǎo)體制造?

      ?場景?:在硅晶圓生長過程中,氫氣作為載氣攜帶硅烷(SiH?)進入CVD腔體,濃度波動會導(dǎo)致薄膜厚度不均。

      ?解決方案?:氫氣傳感器實時監(jiān)測氫氣流量,與質(zhì)量流量計(MFC)聯(lián)動,實現(xiàn)濃度閉環(huán)控制,薄膜均勻性提升30%。

      2. ?碳化硅(SiC)外延生長?

      ?場景?:高溫CVD工藝中,氫氣用于還原硅源,需嚴(yán)格控制濃度以避免碳污染。

      ?解決方案?:傳感器耐400℃高溫設(shè)計,直接安裝于CVD反應(yīng)室,檢測精度達0.5ppm,確保SiC外延層缺陷率降低至0.1%以下。

      3.?光伏電池鍍膜?

      ?場景?:在PERC電池鍍膜過程中,氫氣用于還原氮化硅(SiN?)薄膜中的氧雜質(zhì),濃度過高會導(dǎo)致膜層開裂。

      ?解決方案?:氫氣傳感器通過4-20mA信號接入PLC,自動調(diào)節(jié)氫氣流量,膜層透光率穩(wěn)定性提升20%。


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