化學(xué)氣相沉積(CVD)工藝專用H2氫氣偵測(cè)器：

在半導(dǎo)體 CVD 工藝中，氫氣是制備多晶硅、氮化硅等薄膜的關(guān)鍵還原氣，同時(shí)作為載氣精準(zhǔn)輸送反應(yīng)原料，但其 4.0%-75.6% 的寬爆炸極限、快速擴(kuò)散特性，疊加 CVD 工藝低壓(10-100Pa)、高溫(300-1000℃)及多腐蝕性氣體(硅烷、氨氣)共存的環(huán)境，對(duì)氫氣監(jiān)測(cè)提出嚴(yán)苛要求。深國(guó)安SGA-500-H2氫氣偵測(cè)器專為化學(xué)氣相沉積(CVD)工藝場(chǎng)景所以研發(fā)的一款高精度氫氣報(bào)警器裝置，產(chǎn)品以“雙場(chǎng)景精準(zhǔn)監(jiān)測(cè) + 全環(huán)境適配” 為核心，為 3nm-90nm 先進(jìn)制程筑牢安全與質(zhì)量防線。

化學(xué)氣相沉積(CVD)工藝專用H2氫氣偵測(cè)器兼容電化學(xué)，催化燃燒，熱傳導(dǎo)等傳感技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)多量程智能切換：針對(duì)泄漏安全監(jiān)測(cè)，0-100% LEL 量程分辨率達(dá) 0.1% LEL，響應(yīng)時(shí)間≤1.5 秒，可快速捕捉腔體法蘭、閥門的微量泄漏;針對(duì)高純氫氣純度管控，99.99%-100%VOL 量程分辨率 0.001%VOL;針對(duì)常規(guī)氣體濃度監(jiān)測(cè)，例如0-1000PPM，高分率0.001，可精準(zhǔn)識(shí)別氣源雜質(zhì)，避免因氫氣純度不足導(dǎo)致薄膜電阻率偏差。雙模塊協(xié)同工作，檢測(cè)誤差均≤±3% FS，較傳統(tǒng)單原理設(shè)備適用場(chǎng)景更廣。

設(shè)備搭載抗干擾與環(huán)境適配設(shè)計(jì)：316L 不銹鋼電解拋光外殼(符合 Class 5 潔凈標(biāo)準(zhǔn))涂覆 PTFE 防腐涂層，耐受 80℃高溫與 95% 高濕，屏蔽硅烷、氨氣等氣體干擾;內(nèi)置溫濕度補(bǔ)償算法，-20℃~80℃區(qū)間數(shù)據(jù)漂移≤±0.5%/24h，適配低壓 CVD(LPCVD)與常壓 CVD(APCVD)多場(chǎng)景。支持 4-20mA/RS485 信號(hào)輸出，可與 CVD 腔體 PLC 系統(tǒng)聯(lián)動(dòng) —— 濃度超 1% LEL 啟動(dòng)局部排風(fēng)，超 5% LEL 切斷氣源并啟動(dòng)氮?dú)獯祾撸?10% LEL 觸發(fā)設(shè)備停機(jī)，形成閉環(huán)防護(hù)。

化學(xué)氣相沉積(CVD)工藝專用H2氫氣偵測(cè)器帶無(wú)線聯(lián)網(wǎng)功能，可通過(guò)GPRS接入物聯(lián)網(wǎng)或監(jiān)控平臺(tái)軟件等，支持1000臺(tái)設(shè)備聯(lián)網(wǎng)，實(shí)時(shí)顯示濃度曲線與故障預(yù)警，AI 模塊可提前 72 小時(shí)預(yù)判傳感器失效?；瘜W(xué)氣相沉積(CVD)工藝專用H2氫氣偵測(cè)器已通過(guò)SIL安全認(rèn)證，在上海某客戶半導(dǎo)體企業(yè)12 英寸 CVD 產(chǎn)線應(yīng)用中，氫氣泄漏處置時(shí)間縮短至 30 秒，薄膜良率提升 2.3%，為先進(jìn)制程 CVD 工藝提供可靠的氫氣監(jiān)測(cè)解決方案。